企业简介
杭州海纳半导体有限公司的前身是1970年创办的浙江大学半导体工厂，主要从事半导体领域的硅材料加工。海纳主要的产品是单晶锭和研磨硅片。作为主要单晶锭生厂商和研磨硅片的供应商，海纳每年的产量大概是60吨。近几年，海纳发展迅速，每年的营业额连续超过1亿。硅材料不仅仅是非常重要的半导体材料，同时也是现代文明的基础。随着全球工业的快速发展，对硅材料数量和质量的要求也在一直不断增加。
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杭州海纳半导体有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103290470B | 直径转变的直拉单晶硅生长方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以 |
| 2 | CN105586634A | 用于直拉单晶炉热场的加热器及使用方法 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种用于直拉单晶炉热场的加热器，包括加热器主体(5)；所述加热器主体(5)可翻转；所述加 |
| 3 | CN105568368A | 保护热场部件减小损耗的热场及方法 | 2016.05.11 | 保护热场部件减小损耗的热场及方法。本发明公开了一种直拉单晶硅生长的热场系统；包括设置在热场外壳内的加 |
| 4 | CN102628179B | 用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器及使用方法 | 2015.12.16 | 本发明公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器，在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置 |
| 5 | CN104985709A | 调整单晶棒晶向的方法及测量方法 | 2015.10.21 | 本发明公开了一种调整单晶棒晶向的方法；包括如下的步骤：1)通过晶体的种类确定标准晶向；2)确定单晶Y |
| 6 | CN104960100A | 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法 | 2015.10.07 | 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法；包括如下的步骤：首先、切取单晶硅棒中多余的单晶；其次、 |
| 7 | CN102555097B | 适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法 | 2014.08.06 | 本发明公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法，包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定 |
| 8 | CN103290470A | 直径转变的直拉单晶硅生长方法 | 2013.09.11 | 本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以 |
| 9 | CN202610382U | 用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器 | 2012.12.19 | 本实用新型公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器，在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接 |
| 10 | CN202607866U | 适用于多线切割机加工时工件装载的夹具 | 2012.12.19 | 本实用新型公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具，包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定钢条和 |
| 11 | CN102628179A | 用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器及使用方法 | 2012.08.08 | 本发明公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器，在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置 |
| 12 | CN102555097A | 适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法 | 2012.07.11 | 本发明公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法，包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定 |
| 13 | CN202047173U | 适用于轻掺及中高阻直拉硅单晶的掺杂装置 | 2011.11.23 | 本实用新型公开了一种适用于轻掺及中高阻直拉硅单晶的掺杂装置，包括上吊杆（1）、下挂架（2）和石英托盘 |
| 14 | CN101700520B | 单晶/多晶硅片的清洗方法 | 2011.04.06 | 本发明公开了一种单晶/多晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：硅片先浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗； |
| 15 | CN101661884B | 一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法 | 2010.12.01 | 本发明公开了一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法，包括如下步骤：1)、选用2片轻掺杂的抛光硅片，每片抛光 |
| 16 | CN101722461A | 一种双抛片的加工方法 | 2010.06.09 | 本发明公开了一种双抛片的加工方法，包括如下步骤：1)在抛光硅片B正面设置氧化层；2)选用平面大小同抛 |
| 17 | CN101700520A | 单晶/多晶硅片的清洗方法 | 2010.05.05 | 本发明公开了一种单晶/多晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：硅片先浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗； |
| 18 | CN101661884A | 一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法 | 2010.03.03 | 本发明公开了一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法，包括如下步骤：1)选用2片轻掺杂的抛光硅片，每片抛光硅 |
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